[发明专利]一种半导体致冷器件无效
| 申请号： | 201110333136.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102410657A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 陈国华 | 申请（专利权）人： | 杭州澳凌制冷设备有限公司 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人： | 陈辉 |
| 地址： | 310015 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种半导体致冷器件，包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体和两块陶瓷绝缘板，金属导体间隔固定于第一陶瓷绝缘板下侧和第二陶瓷绝缘板上侧，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间且通过金属导体串接，N型半导体晶体成分重量份数为：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800，所述的P型半导体晶体成分重量份数为：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。本发明的有益效果在于：在N型半导体晶体中加入了四碘化碲，使N型半导体晶体在潮解空气中稳定，从而使整个半导体致冷器件的性能更加稳定，致冷效果更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 致冷 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体致冷器件，包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体、第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板，所述的金属导体间隔固定于第一陶瓷绝缘板下侧和第二陶瓷绝缘板上侧，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间且通过金属导体串接，其特征在于：所述的N型半导体晶体成分为（重量份）：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800，所述的P型半导体晶体成分为（重量份）：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。
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