[发明专利]一种光栅的制备方法有效
| 申请号： | 201110333523.4 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103091747A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；形成一抗蚀材料薄膜于该基底的表面；纳米压印并刻蚀所述抗蚀材料薄膜，得到抗蚀层；形成一掩模层于所述基底表面，所述掩模层覆盖所述抗蚀层以及基底通过所述抗蚀层暴露的表面；剥离所述抗蚀层及抗蚀层表面的部分掩模层，使基底形成一具图形化的掩模层；采用反应离子刻蚀法刻蚀基底得到石英光栅，刻蚀过程中刻蚀气体为四氟化碳、六氟化硫以及氩气；以及去除掩膜层。该种光栅对光波的衍射性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；形成一抗蚀材料薄膜于该基底的表面；纳米压印并刻蚀所述抗蚀材料薄膜，得到抗蚀层；形成一掩模层于所述基底表面，所述掩模层覆盖所述抗蚀层以及基底通过所述抗蚀层暴露的表面；剥离所述抗蚀层及抗蚀层表面的部分掩模层，使基底形成一具图形化的掩模层；采用反应离子刻蚀法刻蚀基底得到石英光栅，刻蚀过程中刻蚀气体为四氟化碳、六氟化硫以及氩气；以及去除掩膜层。
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