[发明专利]冗余SOI电路单元无效
| 申请号： | 201110333879.8 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102394635A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李磊;胡剑浩;周婉婷;刘辉华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20;H03K3/013 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明针对现有的航空专用集成电路中不能同时抑制SET效应和SEU效应的问题，公开了若干种冗余SOI电路单元，包括部分冗余电路单元和全冗余电路单元，涉及反相器、与非门、或非门等。本发明的电路单元通过复制电路中的NMOS逻辑网络或者同时复制电路中的NMOS逻辑网络和PMOS逻辑网络，达到部分冗余或全冗余的效果，采用本发明的基本电路单元构建的时序逻辑电路可以同时抑制单粒子瞬时脉冲效应和单粒子翻转效应。 | ||
| 搜索关键词： | 冗余 soi 电路 单元 | ||
【主权项】：
一种部分冗余SOI反相器，包括PMOS管(21)和NMOS管(22、23)，其中，PMOS管(21)的源极接外部电源；NMOS管(23)的源极接地；PMOS管(21)的栅极、NMOS管(22)的栅极与NMOS管(23)的栅极连接在一起，作为所述反相器的输入端；NMOS管(23)的漏极与NMOS管(22)的源极相连；NMOS管(22)的漏极与PMOS管(21)的漏极相连，作为所述反相器的输出端。
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