[发明专利]一种高单分散性碲化镉纳米晶体的合成方法无效

专利信息
申请号: 201110334471.2 申请日: 2011-10-30
公开(公告)号: CN102381689A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 韩树民;王继东;翟继祖 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;B82Y40/00
代理公司: 石家庄一诚知识产权事务所 13116 代理人: 续京沙
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种高单分散性碲化镉纳米晶体的合成方法,其主要将摩尔比为6~8:8:1:0.02~0.2:0.01的二水合醋酸镉、硬脂酸、碲粉、三辛基膦、十八烯在常温下装入带有冷凝管的三颈瓶中,在-1×104Pa以下的真空条件下,搅拌并加热到80~120℃,并保持该温度1~2小时。然后,通入氮气至104~105Pa,在氮气保护下继续搅拌和加热,生长温度升至220℃,升温速率为5~10℃∕min。本发明克服了现有的碲化镉纳米晶体合成技术中必须预先合成碲前驱体的缺点,简化了合成路径,通过调节生长温度,达到控制碲化镉纳米晶体粒径的目的,合成方法简单,CdTe纳米晶体的单分散性高,重复性好,易于工业化生产。
搜索关键词: 一种 分散性 碲化镉 纳米 晶体 合成 方法
【主权项】:
一种高分散性碲化镉纳米晶体的合成方法,其特征在于:将摩尔比为6~8 : 8 : 1 : 0.02~0.2 :0.01的二水合醋酸镉、硬脂酸、碲粉、三辛基膦、十八烯在常温下装入带有冷凝管的三颈瓶中,在‑1×104 Pa以下的真空条件下,搅拌并加热到80~120 ℃,并保持该温度1~2小时,然后通入氮气至104~105 Pa,在氮气保护下继续搅拌和加热,生长温度升至220 ℃,升温速率为5~10 ℃ ∕ min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于燕山大学,未经燕山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110334471.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top