[发明专利]制作微机电系统(MEMS)装置的方法无效
| 申请号： | 201110334782.9 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102452638A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 利萨·H·卡林;大卫·W·基尔斯特;刘连军;刘威;鲁本·B·蒙特兹;罗伯特·F·施泰梅尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作微机电系统(MEMS)装置的方法。形成MEMS装置(10)的方法包括在衬底(12)上方形成牺牲层(34)。所述方法进一步包括在牺牲层(34)上方形成金属层(42)，以及形成覆于金属层(42)之上的保护层(44)。所述方法进一步包括蚀刻保护层(44)和金属层(42)以形成具有在金属层的保留部上方形成的保护层的保留部的结构(56)。所述方法进一步包括蚀刻牺牲层(34)以形成MEMS装置的可移动部，其中保护层的保留部在蚀刻牺牲层(34)以形成MEMS装置(10)的可移动部期间保护金属层的保留部。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 微机 系统 mems 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种形成MEMS装置的方法，所述方法包括：在衬底上方形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成金属层；形成覆于金属层之上的保护层；蚀刻所述保护层和所述金属层以形成具有在所述金属层的保留部上方形成的保护层的保留部的结构；以及蚀刻所述牺牲层以形成所述MEMS装置的可移动部，其中所述保护层的保留部在蚀刻所述牺牲层以形成所述MEMS装置的可移动部期间保护所述金属层的保留部。
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