[发明专利]相对或接近相对的线端的光学临近效应修正方法无效
| 申请号： | 201110335031.9 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103091969A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相对或接近相对的线端的光学临近效应修正方法，包括步骤：1)将所述线端分成多段；2)沿垂直于所述线端的方向，调整每一小段的位置，使所述线端偏离相对位置。本发明通过将相对或者接近相对的线端分成多段，然后在基于模型的0PC修正中，对线端修正片段的位置进行调整，即对线端进行拐弯处理，从而避开了线端相对方向的MRC的限定，减小了线端缩短的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 相对 接近 光学 临近 效应 修正 方法 | ||
【主权项】：
相对或接近相对的线端的光学临近效应修正方法，其特征在于，包括步骤：1)将所述线端分成多段；2)沿垂直于所述线端的方向，调整每一小段的位置，使所述线端偏离相对位置。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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