[发明专利]光波导耦合结构的制作方法有效
| 申请号： | 201110335264.9 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102385109A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 仇超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光波导耦合结构的制作方法，包括步骤：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括依次堆叠的基底层、氧化掩埋层和单晶硅层；刻蚀所述单晶硅层至露出所述氧化掩埋层表面，形成至少一个下层光波导；刻蚀所述下层光波导，在所述下层光波导的其中一个端部形成交替排列的沟槽和凸起，所述沟槽和凸起构成下层周期光栅；形成覆盖所述下层光波导和下层周期光栅的第一介质层；在第一介质层上形成上层光波导和上层周期光栅，所述上层周期光栅与下层周期光栅位置对应，所述上层周期光栅位于上层光波导的一个端部。本发明的方法改善了光波导的布局，提高光波导的传输性能。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 耦合 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种光波导耦合结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括依次堆叠的基底层、氧化掩埋层和单晶硅层；刻蚀所述单晶硅层露出所述氧化掩埋层表面，形成至少一个下层光波导；刻蚀所述下层光波导，在所述下层光波导的其中一个端部形成交替排列的沟槽和凸起，所述沟槽和凸起构成下层周期光栅；形成覆盖所述下层光波导和下层周期光栅的第一介质层；在第一介质层上形成上层光波导和上层周期光栅，所述上层周期光栅与下层周期光栅位置对应，所述上层周期光栅位于上层光波导的一个端部，所述下层周期光栅和下层周期光栅构成光波导的耦合结构。
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