[发明专利]一种晶格失配三结太阳电池外延生长方法无效
| 申请号： | 201110335827.4 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102509742A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 何清华;郑炳熙;王文;郑宝用 | 申请（专利权）人： | 傲普托通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/078 | 分类号： | H01L31/078;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 350015 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明是一种晶格失配三结太阳电池的外延生长方法，该太阳电池包括Ge底电池、Ga1-xInxAs中电池、Ga1－yInyP顶电池三结子电池，子电池之间由隧穿结连接组成单片式串联结构。通过在中电池Ga1-xInxAs基区初始外延层中插入p-GaAsP/Ga1－1.2xIn1.2xAs超晶格，对插入的超晶格进行退火处理。本发明的优点在于：通过在中电池Ga1-xInxAs基区初始外延层中插入p-GaAsP/Ga1－1.2xIn1.2xAs超晶格，对插入的超晶格进行退火处理，有效阻止了穿透位错向结构表层的传播。XRD、电池光伏性能测试结果表明，三结太阳电池外延层晶体质量良好，电池光电转换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 失配 太阳电池 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种晶格失配三结太阳电池外延生长方法，该太阳电池包括Ge底电池、Ga1‑xInxAs中电池、Ga1－yInyP顶电池三结子电池，子电池之间由隧穿结连接组成单片式串联结构；其特征在于：中电池基区Ga1‑xInxAs层的In组分x为0.04—0.17，顶电池基区Ga1－yInyP层的In组分y为0.52—0.65；通过在中电池Ga1‑xInxAs基区初始外延层中插入p‑GaAsP/Ga1－1.2xIn1.2xAs超晶格，阻止穿透位错向结构表层的传播；插入的超晶格进行退火处理，消除残余应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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