[发明专利]纳米双相氢氧化镍电极材料及其制备方法无效
申请号: | 201110336143.6 | 申请日: | 2011-10-31 |
公开(公告)号: | CN103086442A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 吴青端;吕幼军;王钟颖;刘美;臧娜;吴磊;刘伟 | 申请(专利权)人: | 国家纳米技术与工程研究院 |
主分类号: | C01G53/04 | 分类号: | C01G53/04;B82Y40/00 |
代理公司: | 天津天麓律师事务所 12212 | 代理人: | 卢枫 |
地址: | 300457 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了纳米双相氢氧化镍电极材料及其制备方法,其特征在于采用一种三价金属离子取代镍离子,生成的纳米氢氧化镍为α-和β-的双相结构,此双相结构的氢氧化镍电极材料同时拥有高容量以及高导电性等特征,并且该结构是在强碱中经过陈化处理得到,可以在强碱液中稳定存在。本发明制造的纳米双相氢氧化镍电极质量电化学容量达350mAh/g,两个放电平台,电极膨胀小,寿命长,是达到实用要求的新一代多电子纳米氢氧化镍电极材料。 | ||
搜索关键词: | 纳米 氢氧化 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
纳米双相氢氧化镍电极材料,其特征在于它由α‑Ni(OH)2和β‑Ni(OH)2构成,它们的质量百分数为α‑Ni(OH)2为80‑90%,β‑Ni(OH)2为10‑20%。
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