[发明专利]热伏电池无效
申请号: | 201110336280.X | 申请日: | 2011-10-31 |
公开(公告)号: | CN102354728A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 伏忠坤;谢素华;罗朝晖 | 申请(专利权)人: | 伏忠坤;谢素华;罗朝晖 |
主分类号: | H01L35/00 | 分类号: | H01L35/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 621004 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 热伏电池,它涉及半导体材料能源应用领域。它包含n+半导体引出电极(1)、金属层引出电极(2)、p+半导体引出电极(3)、p+半导体区(4)、金属层(5)、绝缘层(6)、n+半导体区(7)和内建电场区(8),p+半导体区(4)和n+半导体区(7)之间是自发形成的内建电场区(8),p+半导体引出电极(3)与p+半导体区(4)相连,n+半导体引出电极(1)与n+半导体区(7)相连,内建电场区(8)下方依次设置有绝缘层(6)和金属层(5),金属层引出电极(2)与金属层(5)相连,它利用两层不同费米能级或不同功函数的材料形成内建电场,在金属层上加上电压,将载流子吸引到内建电场区域,产生电动势。 | ||
搜索关键词: | 电池 | ||
【主权项】:
热伏电池,其特征在于它包含n+半导体引出电极(1)、金属层引出电极(2)、p+半导体引出电极(3)、p+半导体区(4)、金属层(5)、绝缘层(6)、n+半导体区(7)和内建电场区(8),p+半导体区(4)和n+半导体区(7)之间是自发形成的内建电场区(8),p+半导体引出电极(3)与p+半导体区(4)相连,n+半导体引出电极(1)与n+半导体区(7)相连,内建电场区(8)下方依次设置有绝缘层(6)和金属层(5),金属层引出电极(2)与金属层(5)相连,它利用两层不同费米能级或不同功函数的材料形成内建电场,在金属层上加上电压,将载流子吸引到内建电场区域,产生电动势。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伏忠坤;谢素华;罗朝晖,未经伏忠坤;谢素华;罗朝晖许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110336280.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多功能仰卧起坐装置
- 下一篇:小麦脱皮机