[发明专利]一种水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110336786.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102509632A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 吴允苗 | 申请（专利权）人： | 泉州师范学院 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 戴中生 |
| 地址： | 362000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料，所述薄膜电极材料由衬底和SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜共同组成，所述SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜沉积于衬底表面，所述氧化物薄膜具有水合结构，氧化物薄膜中Sn∶Ir摩尔比为30～70∶70～30，其中x为0.2～3。利用本发明公开的水合结构的SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜材料，可制备高品质电化学电容器。另外，该薄膜电极材料的制备工艺简单，实用，适合工业生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水合 结构 sno sub iro xh 氧化物 薄膜 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料，其特征在于：所述薄膜电极材料由衬底和SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜共同组成，所述SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜沉积于衬底表面，所述氧化物薄膜具有水合结构，氧化物薄膜中Sn∶Ir摩尔比为30～70∶70～30，其中x为0.2～3。
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