[发明专利]具有自充电场电极的半导体器件有效
| 申请号： | 201110336839.9 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103035679A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | S.加梅里特;F.希尔勒;H.韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/872;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有自充电场电极的半导体器件。公开了一种半导体器件，其包括第一掺杂类型的漂移区、所述漂移区与器件区之间的结、以及所述漂移区中的至少一个场电极结构。所述场电极结构包括：场电极；场电极电介质，与所述场电极邻接并布置在所述场电极与所述漂移区之间，并且具有开口；场终止区和生成区中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 充电 电极 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一掺杂类型的漂移区；所述漂移区与器件区之间的结；以及所述漂移区中的至少一个场电极结构，所述至少一个场电极结构包括：场电极；场电极电介质，与所述场电极邻接并布置在所述场电极与所述漂移区之间，并且具有开口；以及场终止区，具有所述第一掺杂类型并且比所述漂移区更重掺杂，所述场终止区通过所述场电极电介质的开口将所述场电极连接至所述漂移区。
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