[发明专利]通过高热膨胀系数(CTE)层降低晶圆变形有效
| 申请号： | 201110336947.6 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102479683A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈祈铭;喻中一;蔡嘉雄;黄和涌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有相对的第一侧面和第二侧面的硅衬底。第一侧面和第二侧面的至少其中之一包括硅(111)表面。该方法包括在硅衬底的第一侧面上形成高热膨胀系数(CTE)层。高CTE层的CTE大于硅的CTE。该方法包括在硅衬底的第二侧面上方形成缓冲层。缓冲层的CTE大于硅的CTE。该方法包括在缓冲层的上方形成III-V族的层。III-V族的层的CTE比缓冲层的CTE高。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 高热 膨胀系数 cte 降低 变形 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供具有相对的第一侧面和第二侧面的晶圆；在所述晶圆的所述第一侧面上方形成层，所述层的热膨胀系数(CTE)比所述晶圆的热膨胀系数高；以及在所述晶圆的所述第二侧面上方形成III‑V族的层，所述III‑V族的层的热膨胀系数比所述晶圆的热膨胀系数高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
