[发明专利]硅晶铸锭及其制造方法有效
| 申请号： | 201110337512.3 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103088418A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 许松林;杨承叡;黄培恺;倪笙华;杨瑜民;萧明恭;余文怀;林钦山;徐文庆;蓝崇文 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅晶铸锭及其制造方法，通过控制热场参数、成核点密布坩埚底部等方法，来大量降低大尺寸硅晶粒分布比例，本发明硅晶铸锭底部处的硅晶粒的平均晶粒尺寸小于12mm，且硅晶铸锭上区域的硅晶粒的平均晶粒尺寸大于14mm，由于小尺寸硅晶粒型态在长晶过程中有较少晶粒竞争现象，且小尺寸硅晶粒分布紧密较易趋于单一向上成长，减少晶粒大吃小情形与避免柱状晶无法成长完整，此外，分布密布高的晶界进一步提供晶体内差排或其他应力缺陷得以顺利移动的管道，降低缺陷增加速率，进而让硅晶铸锭整体有较佳的晶体质量，后续制成的太阳能电池的光电转换效率也较高。 | ||
| 搜索关键词： | 铸锭 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅晶铸锭，具有一底部，并将与所述底部垂直的方向定义为垂直方向，其特征在于：所述硅晶铸锭包含沿所述垂直方向成长的若干个硅晶粒，将所述底部处的硅晶粒的平均晶粒尺寸定义为第一平均晶粒尺寸，所述第一平均晶粒尺寸小于12mm。
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