[发明专利]一种非均匀陶瓷介质基板的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110337747.2 申请日: 2011-10-31
公开(公告)号: CN102531635A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 刘若鹏;赵治亚;缪锡根 申请(专利权)人: 深圳光启高等理工研究院
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/01;C04B35/58;C04B35/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例提供了一种非均匀陶瓷介质基板的制备方法,该制备方法包括:将具有不同介电常数的陶瓷坯料片材依次绕叠在预设的圆柱芯上,压合成介电常数成梯度变化的陶瓷坯料;对绕叠在圆柱芯上的陶瓷坯料沿介电常数成梯度变化的方向进行切割分离,获得陶瓷坯料块;以预置的与所述圆柱芯形状和大小相同的陶瓷芯坯料为中心轴,将至少两个陶瓷坯料块拼接成介电常数由中心轴向外成梯度变化的圆柱体,冷等静压和高温烧结后获得非均匀陶瓷介质基板。通过本发明的实施例制备的非均匀陶瓷介质基板,能够满足对介质基板电磁特性的需求。
搜索关键词: 一种 均匀 陶瓷 介质 制备 方法
【主权项】:
一种非均匀陶瓷介质基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:将具有不同介电常数的陶瓷坯料片材依次绕叠在预设的圆柱芯上,压合成介电常数成梯度变化的陶瓷坯料;对绕叠在圆柱芯上的陶瓷坯料沿介电常数成梯度变化的方向进行切割分离,获得陶瓷坯料块;以预置的与所述圆柱芯形状和大小相同的陶瓷芯坯料为中心轴,将至少两个陶瓷坯料块拼接成介电常数由中心轴向外成梯度变化的圆柱体,冷等静压和高温烧结后获得非均匀陶瓷介质基板。
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