[发明专利]修饰电极及其制备方法无效
申请号: | 201110338065.3 | 申请日: | 2011-10-31 |
公开(公告)号: | CN102393412A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 卢小泉;刘冬;李亚亚;王海峰;姬东琴 | 申请(专利权)人: | 西北师范大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 陆菊华 |
地址: | 730070 甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明提供一种修饰电极,包括基底电极,还包括涂覆于基底电极表面的金纳米粒子膜;涂覆于金纳米粒子膜表面的Ru(bpy)32+;以及涂覆于Ru(bpy)32+表面的Nafion。本发明还提供该修饰电极的制备方法:1)对基底电极进行预处理;2)将金纳米粒子涂覆到步骤1)的预处理后的基底电极表面;3)将Ru(bpy)32+涂覆到步骤2)得到的电极表面;4)将Nafion涂覆到步骤3)得到的电极表面,得到本发明的修饰电极。本发明的修饰电极可以作为一个检测其它物质的发光材料。本发明的方法简单,快速,方便,且容易控制,并且在固定的过程中还产生了一个阴极电化学发光。 | ||
搜索关键词: | 修饰 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种修饰电极,所述修饰电极包括基底电极,其特征在于:所述修饰电极还包括涂覆于所述基底电极表面的金纳米粒子膜;涂覆于所述金纳米粒子膜表面的Ru(bpy)32+;以及涂覆于所述Ru(bpy)32+表面的Nafion。
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