[发明专利]鳍式晶体管的鳍部的形成方法有效
| 申请号： | 201110338440.4 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094112A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式晶体管的鳍部的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成具有开口的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀第一深度的所述半导体衬底，在所述半导体衬底形成沟槽；沿平行半导体衬底表面方向刻蚀部分宽度的所述硬掩膜层；在所述沟槽内填充介质层直至所述介质层与所述硬掩膜层齐平；去除所述硬掩膜层；以所述介质层为掩膜，刻蚀第一深度的所述半导体衬底。本发明的实施例能够同时形成两个鳍部，并且能够减少刻蚀的步骤，提高了效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式晶体管的鳍部的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成具有开口的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀第一深度的所述半导体衬底，在所述半导体衬底形成沟槽；沿平行半导体衬底表面方向刻蚀部分宽度的所述硬掩膜层；在所述沟槽内填充介质层直至所述介质层与所述硬掩膜层齐平；去除所述硬掩膜层；以所述介质层为掩膜，刻蚀第一深度的所述半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
