[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110339469.4 申请日: 2011-11-01
公开(公告)号: CN102385207A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 張驄瀧 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,该薄膜晶体管阵列基板,包括多条相互平行的扫描线、多条与该扫描线垂直绝缘相交的数据线、任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界定的像素单元以及任意两条相邻的扫描线之间的电容线,其中,在电容线上具有沿所述电容线的延伸方向的长形通孔,所述长形通孔位于所述电容线与数据线的交叉处,在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边具有对称分布的沿所述数据线的延伸方向延伸出的辅助电容线。采用本发明,可以在不增加辅助电容线制作难度的情况下,方便的将辅助电容与电容线之间的连接切割开。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,包括多条相互平行的扫描线、多条与该扫描线垂直绝缘相交的数据线、任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界定的像素单元以及任意两条相邻的扫描线之间的电容线,其特征在于,在电容线上具有沿所述电容线的延伸方向的长形通孔,所述长形通孔位于所述电容线与数据线的交叉处,在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边具有对称分布的沿所述数据线的延伸方向延伸出的辅助电容线。
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