[发明专利]识别缺陷类型的方法有效
| 申请号： | 201110339679.3 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103091326A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威;简志宏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01N23/22;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种识别缺陷类型的方法，包括：提供一晶片，所述晶片经过了光刻工艺或刻蚀工艺的处理，且该晶片上具有一个或多个缺陷；采用预设强度的光照射所述晶片，在照射预定时间后，比较照射前后所述晶片上的缺陷的变化，或在照射过程中观测该晶片上缺陷的变化，若经照射后某个缺陷变小或消失，则该缺陷为挥发性缺陷，否则，为非挥发性缺陷。本发明实施例仅通过一次照射过程即可识别缺陷类型，从而避免了现有技术中分析缺陷的元素成分等一系列复杂的操作，该方法能够在短时间内识别出挥发性缺陷，缩短了产品的生产周期，且该识别方法简单易操作，减轻了工作人员的工作量，节省了计算机硬件资源。 | ||
| 搜索关键词： | 识别 缺陷 类型 方法 | ||
【主权项】：
一种识别缺陷类型的方法，其特征在于，包括：提供一晶片，所述晶片经过了光刻工艺或刻蚀工艺的处理，且该晶片上具有一个或多个缺陷；采用预设强度的光照射所述晶片，在照射预定时间后，比较照射前后所述晶片上的缺陷的变化，或在照射过程中观测该晶片上缺陷的变化，若经照射后某个缺陷变小或消失，则该缺陷为挥发性缺陷，否则，为非挥发性缺陷。
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