[发明专利]一种制备金刚石-石墨烯复合膜的方法有效

专利信息
申请号: 201110339836.0 申请日: 2011-11-01
公开(公告)号: CN102367570A 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 李多生;周贤良;左敦稳;华小珍;叶志国;邹爱华;俞应炜 申请(专利权)人: 南昌航空大学
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/02
代理公司: 南昌洪达专利事务所 36111 代理人: 刘凌峰
地址: 330000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种金刚石-石墨烯复合膜制备方法,该方法是采用化学气相沉积法制备金刚石-石墨烯复合膜,属于新型无机功能材料制备技术领域。在异质基体表面进行特殊处理,获取特定高表面能、高密度基体表面微坑,诱导石墨烯生长;把基体放在直流等离子体喷射生长系统的真空沉积室内的基体上,生长单层或少层石墨烯薄膜;控制生长参数条件,实现表层石墨烯的碳键原子结构自协调演变成金刚石微观结构,进行金刚石膜生长,从而制备出金刚石-石墨烯复合膜。该制备方法具有工艺简单可靠、高效率、无污染,有利于环境保护,适合工业化生产。
搜索关键词: 一种 制备 金刚石 石墨 复合 方法
【主权项】:
一种制备金刚石‑石墨烯复合膜的方法,其特征是:    1)采用金刚石粉、碳化硅、氮化钛等硬质纳米颗粒高速冲击刻蚀镍、硅、钼等基体,获得高表面能、高密度基体表面微纳坑,再注入高浓度活性氢原子对铜、镍、硅、钼等基体表面微纳坑进行进行进一步反应刻蚀,使基体形成具有特定结构的微坑,将需制备金刚石‑石墨烯复合膜置于一导热性能好的铜质基材上;2)通过对基体表面的微纳坑和表面能的分析, 计算在基体表面生长石墨烯对碳源气体所需的浓度,制备合理的冷却系统,获得均匀的合适的基体温度,诱导活性碳原子及活性碳原子基团在基体表面形核;3)采用DCPJCVD技术,在经过纳米颗粒和反应刻蚀技术在曲面镍基体上首先生长石墨烯,控制石墨烯厚度,然后通过对碳源浓度,活性氢原子浓度及基体温度等的控制,实现在石墨烯表面碳键晶格类型的转化,进行金刚石膜生长,制备金刚石‑石墨烯复合膜。
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