[发明专利]一种制备金刚石-石墨烯复合膜的方法有效
申请号: | 201110339836.0 | 申请日: | 2011-11-01 |
公开(公告)号: | CN102367570A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 李多生;周贤良;左敦稳;华小珍;叶志国;邹爱华;俞应炜 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/02 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种金刚石-石墨烯复合膜制备方法,该方法是采用化学气相沉积法制备金刚石-石墨烯复合膜,属于新型无机功能材料制备技术领域。在异质基体表面进行特殊处理,获取特定高表面能、高密度基体表面微坑,诱导石墨烯生长;把基体放在直流等离子体喷射生长系统的真空沉积室内的基体上,生长单层或少层石墨烯薄膜;控制生长参数条件,实现表层石墨烯的碳键原子结构自协调演变成金刚石微观结构,进行金刚石膜生长,从而制备出金刚石-石墨烯复合膜。该制备方法具有工艺简单可靠、高效率、无污染,有利于环境保护,适合工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 金刚石 石墨 复合 方法 | ||
【主权项】:
一种制备金刚石‑石墨烯复合膜的方法,其特征是: 1)采用金刚石粉、碳化硅、氮化钛等硬质纳米颗粒高速冲击刻蚀镍、硅、钼等基体,获得高表面能、高密度基体表面微纳坑,再注入高浓度活性氢原子对铜、镍、硅、钼等基体表面微纳坑进行进行进一步反应刻蚀,使基体形成具有特定结构的微坑,将需制备金刚石‑石墨烯复合膜置于一导热性能好的铜质基材上;2)通过对基体表面的微纳坑和表面能的分析, 计算在基体表面生长石墨烯对碳源气体所需的浓度,制备合理的冷却系统,获得均匀的合适的基体温度,诱导活性碳原子及活性碳原子基团在基体表面形核;3)采用DCPJCVD技术,在经过纳米颗粒和反应刻蚀技术在曲面镍基体上首先生长石墨烯,控制石墨烯厚度,然后通过对碳源浓度,活性氢原子浓度及基体温度等的控制,实现在石墨烯表面碳键晶格类型的转化,进行金刚石膜生长,制备金刚石‑石墨烯复合膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的