[发明专利]具有电流调控磁电阻效应的Fe3O4/p-Si结构及制备方法有效
| 申请号： | 201110339932.5 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102509768A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 米文博;金朝;白海力 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有电流调控磁电阻效应的Fe304/p-Si结构及制备方法，结构是在p型Si单晶基底上生长Fe304；该异质结构在100K温度下、50kOe磁场下、1mA的电流范围内，最大磁电阻值可达40％。采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的三靶可调超高真空磁控溅射镀膜机，在强磁性靶头上安装一个纯度为99.99％的Fe靶，靶材的厚度2mm，直径60mm；靶与基片架之间的距离10cm；将p型Si单晶基底安装在位于靶头上方的基片架上；通过控制真空度、溅射气体、电流、电压，溅射时间等条件，获得p型Si单晶基底上生长的Fe3O4样品。与其它Fe3O4/Si结构的性能相比：本发明所制备的异质结构在小电流下具有较大磁电阻效应；所采用的方法为反应磁控溅射法，简单实用，有利于在工业生产上的推广。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 调控 磁电 效应 fe sub si 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有电流调控磁电阻效应的Fe3O4/p‑Si结构，其特征是在p型Si单晶基底上生长Fe3O4；该异质结构在100K温度下、50kOe磁场下、1mA的电流范围内，最大磁电阻值可达40％。
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