[发明专利]制作沟槽MOS的工艺方法无效
| 申请号： | 201110340145.2 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094116A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;曹俊;王军明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，在重掺杂硅衬底上生长外延层，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第三步，在二氧化硅上形成光刻胶图形；第四步，刻蚀，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻蚀干净，露出光刻胶以外的第一轻掺杂外延层；然后去除光刻胶；第五步，选择性生长第二外延层；在露出的第一轻掺杂外延层的表面生长第二轻掺杂外延层，而二氧化硅上不生长；第六步，用湿法刻蚀掉二氧化硅，形成沟槽。本发明采用选择性外延生长形成沟槽，能够精确控制双层外延沟槽MOS的外延层相对沟槽的位置，从而能够通过分别控制两层外延的掺杂浓度，来优化器件的击穿电压和通态电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 沟槽 mos 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种制作沟槽MOS的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在重掺杂硅衬底上生长外延层，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第三步，采用光刻工艺，在二氧化硅上涂胶、光刻，形成光刻胶图形；第四步，刻蚀，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻蚀干净，露出光刻胶以外的第一轻掺杂外延层；然后去除光刻胶；第五步，选择性生长第二外延层；在露出的第一轻掺杂外延层的表面生长第二轻掺杂外延层；第六步，用湿法刻蚀掉二氧化硅，形成沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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