[发明专利]控制基板温度的方法

摘要

本发明提供控制基板温度的方法，其使用基板保持装置，该控制基板温度的方法在工艺开始前具有第1步骤，在第1步骤中，不将封闭气体供给到保持装置和静电吸盘之间的间隙中，用静电吸盘内的加热部件加热基板，使基板升温到设定温度，恒定地保持在设定温度直到工艺开始；在工艺开始后具有第2步骤和第3步骤，在第2步骤中，利用来自等离子体的热量输入使基板温度上升后，将封闭气体供给到保持装置主体和静电吸盘之间的间隙中，将封闭气体的压力维持恒定，使基板的温度下降到设定温度；在第3步骤中，在基板温度成为设定温度之后，对加热部件进行的加热和供给到保持装置主体和静电吸盘之间的间隙中的封闭气体的压力进行调节，将基板温度保持在设定温度。

主权项

一种控制基板温度的方法，其使用基板保持装置来控制基板温度，该基板保持装置包括：静电吸盘，其用于对设置在保持装置主体的基板保持侧的基板进行静电吸附，加热部件，其内置在上述静电吸盘中，用于加热基板；循环介质流通路径，其形成在上述保持装置主体的内部，与用于循环供给循环介质的循环介质供给部件相连接；热传递能可变部件，其将封闭气体封闭在上述保持装置主体与上述静电吸盘的间隙中而形成，并与能够调整封闭压力的封闭气体供给系统相连接；气体封闭部件，其将基板背面气体封闭在上述静电吸盘与上述基板之间的间隙中而形成，并与基板背面气体供给系统相连接，该控制基板温度的方法的特征在于，在工艺开始前具有第1步骤，在第1步骤中，不将上述封闭气体供给到上述保持装置主体和上述静电吸盘之间的间隙中，用上述静电吸盘内的加热部件加热上述基板，使上述基板升温到设定温度，恒定地保持在设定温度直到工艺开始；在工艺开始后具有第2步骤和第3步骤，在第2步骤中，利用来自等离子体的热量输入使基板温度上升后，将上述封闭气体供给到上述保持装置主体和上述静电吸盘之间的间隙中，将上述封闭气体的压力维持恒定，使上述基板的温度下降到设定温度；在第3步骤中，在上述基板温度成为设定温度之后，对上述加热部件进行的加热和供给到上述保持装置主体和上述静电吸盘之间的间隙中的上述封闭气体的压力进行调节，将上述基板温度保持在设定温度。