[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110340752.9 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103094325A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的一种半导体器件，包括：衬底，其具有有源区；在所述有源区上的栅极结构；以及栅极结构两侧的间隔物；所述栅极结构包括：栅极电介质层，其位于所述有源区上；金属栅极，其位于所述栅极电介质层上，以及竖直的侧墙，其位于所述栅极电介质层上并且在所述金属栅极和间隔物之间，其中所述侧墙由自组装材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，其具有有源区；在所述有源区上的栅极结构；以及栅极结构两侧的间隔物；所述栅极结构包括：栅极电介质层，其位于所述有源区上；金属栅极，其位于所述栅极电介质层上，以及竖直的侧墙，其位于所述栅极电介质层上并且在所述金属栅极和间隔物之间，其中所述侧墙由自组装材料形成。
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