[发明专利]用于锂二次电池的正极活性材料及其制造方法无效
| 申请号： | 201110340854.0 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102468486A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李俊亨;A.克瓦沙;O.莱文 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/485 | 分类号： | H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/131 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于锂二次电池的正极活性材料及其制造方法。用于锂二次电池的正极活性材料包括：核，其包括能够可逆地嵌入和脱嵌锂的化合物；和附着至所述核的表面且由化学式1表示的化合物，其中M(I)和M(II)选自Al、Zr、Hf、Ti、Ge、Sn、Cr、Nb、Ga、Fe、Sc、In、Y、La、Lu、和Mg，且0＜x≤0.7，0≤y≤1。[化学式1]Li1+xM(I)xM(II)2-xSiyP3-yO12。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 二次 电池 正极 活性 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
用于锂二次电池的正极活性材料，包括：核，其包括能够可逆地嵌入和脱嵌锂离子的化合物；和附着至所述核的表面且由化学式1表示的化合物：[化学式1]Li1+xM(I)xM(II)2‑xSiyP3‑yO12其中M(I)和M(II)选自Al、Zr、Hf、Ti、Ge、Sn、Cr、Nb、Ga、Fe、Sc、In、Y、La、Lu、和Mg，且0＜x≤0.7，0≤y≤1。
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