[发明专利]一种异质结太阳能电池的界面处理技术

摘要

本发明公开了一种异质结太阳电池界面处理的技术，其特征在于：该技术能够应用薄膜/晶硅异质结太阳电池的制备中，利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统或者热丝化学气相沉积(HWCVD)系统使反应气体电离产生H，经过气相输运到达晶硅衬底并与晶硅表面发生作用，有效钝化晶硅表面未饱和悬键等缺陷态，减小了异质结界面复合，有利于改善异质结太阳电池的整体性能。

主权项

一种采用氢原子处理技术的硅异质结太阳电池，其特征在于：它采用硅薄膜/晶硅异质结结构，衬底采用N型晶体硅片，晶硅表面采用氢原子处理，背表面沉积硅薄膜作为钝化层，并在其上沉积导电层作为背电极，正表面沉积p型掺杂硅薄膜或本征缓冲层和p型掺杂作为发射区，在P型薄膜层上沉积透明导电层，并在透明导电膜上设置电极。