[发明专利]一种在半导体器件中应用应力记忆技术的方法

摘要

本发明提出了一种在半导体器件中应用应力记忆技术的方法。包括提供衬底，沉积二氧化硅缓冲层与衬底上，沉积低拉应力氮化硅薄膜于二氧化硅薄膜层上，在低应力氮化硅薄膜之上涂覆光刻胶并对曝光使NMOS区域露出，用UV光对晶片进行照射以去除氮化硅薄膜NMOS区域中的部分H元素，去除覆盖于PMOS区域的光阻，利用RTA技术使NMOS区域的沟道产生应力记忆效果，最后将氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜去除。采用本发明大大简化了常规的应力记忆技术，使得氮化硅薄膜具有连续性，降低了该技术在实施中的成本，在确保NMOS的性能不变的情况下，PMOS的性能也不受太大的影响。

主权项

一种在半导体器件中应用应力记忆技术的方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供衬底，所提供的衬底上具有NMOS区和PMOS区；步骤2，在所述衬底上依次沉积二氧化硅缓冲膜、低拉应力氮化硅膜，并在所述低拉应力氮化硅膜上涂覆光刻胶；步骤3，光刻胶曝光，暴露出NMOS区域上方的低拉应力氮化硅膜，对暴露出的低拉应力氮化硅膜进行紫外光照射，去除所述NMOS区域上方低拉应力氮化硅膜中的部分氢元素，去除PMOS区域上方的光刻胶；步骤4，利用快速退火热处理技术进行处理使NMOS区域的沟道产生应力记忆效果；步骤5，去除低拉应力氮化硅膜和二氧化硅缓冲膜。