[发明专利]半导体器件的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110341447.1 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103094091A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的刻蚀方法：在半导体衬底上自下而上依次形成有低介电常数绝缘材料层、顶层氧化物层和氮化钛硬掩膜层；在氮化钛硬掩膜层的表面涂布光阻胶层，曝光显影所述光阻胶层，形成图案化的光阻胶层，以定义沟槽和连接孔的位置；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述氮化钛硬掩膜层和顶层氧化物层，显露出低介电常数绝缘材料层；在显露出的低介电常数绝缘材料层的表面离子注入碳元素或者氮元素；采用氢氟酸对顶层氧化物层进行清洗，扩大经过刻蚀的顶层氧化物层的开口；以经过刻蚀的氮化钛硬掩膜层为掩膜，对低介电常数绝缘材料层进行刻蚀形成沟槽和连接孔；去除氮化钛硬掩膜层。采用本发明能够提高后续的铜电镀层空隙填充能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的刻蚀方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底自下而上依次形成有低介电常数绝缘材料层、顶层cap layer氧化物层和氮化钛硬掩膜层；在氮化钛硬掩膜层的表面涂布光阻胶层，曝光显影所述光阻胶层，形成图案化的光阻胶层，以定义沟槽和连接孔的位置；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述氮化钛硬掩膜层和顶层氧化物层，显露出低介电常数绝缘材料层；其特征在于，该方法还包括：在显露出的低介电常数绝缘材料层的表面离子注入碳元素或者氮元素；采用氢氟酸对顶层氧化物层进行清洗，扩大经过刻蚀的顶层氧化物层的开口；以经过刻蚀的氮化钛硬掩膜层为掩膜，对低介电常数绝缘材料层进行刻蚀形成沟槽和连接孔；去除氮化钛硬掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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