[发明专利]用于改进蚀刻后晶圆内关键尺寸均匀性的烘烤方法及设备有效
| 申请号： | 201110341967.2 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102437018B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 陈蕾;胡林;鲍晔;周孟兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;G03F7/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于改进蚀刻后晶圆内关键尺寸均匀性的曝光后烘烤方法及设备。其中，所述的方法包括如下步骤涂覆光刻胶；光刻胶曝光；在光刻胶曝光后利用热板对晶圆进行烘烤；烘烤后的显影；以及在显影之后执行刻蚀；其中，所述热板包括不少于两个的加热环，在利用热板对晶圆进行曝光后烘烤的步骤中，所述加热环的设定温度不相同。本发明提出的新方法是应用一种新型的烘烤热板在晶圆内不同半径设置不同的曝光后烘烤温度以得到不同的光刻后关键尺寸。这种方法不会影响产率，并且完全可以应用现行的自动制程反馈控制系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 蚀刻 后晶圆内 关键 尺寸 均匀 烘烤 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于改进蚀刻后晶圆内关键尺寸均匀性的曝光后烘烤方法，其特征在于包括：涂覆光刻胶；光刻胶曝光；在光刻胶曝光后利用热板对晶圆进行烘烤；烘烤后的显影；以及在显影之后执行刻蚀；其中，所述热板包括不少于两个的加热环，在利用热板对晶圆进行曝光后烘烤的步骤中，所述加热环的设定温度不相同，通过利用加热环温度造成晶圆边缘光刻关键尺寸减小，使得晶圆边缘光刻关键尺寸减小的效果与蚀刻负载效应相互抵消，从而使得刻蚀后的晶圆内关键尺寸的均匀性得到改善。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
