[发明专利]原位水汽生成工艺实时检测方法有效
| 申请号： | 201110342051.9 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102427045A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 张永福;许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种原位水汽生成工艺实时检测方法，包括：采用Quantox测量机台对多层膜结构中总的氧化层厚度进行多次测量，分别记录所测量的氧化层厚度和对应的氧化时间；根据所述氧化层厚度T与所述氧化时间t的关系满足线形关系：T＝k×t+m，判断所测量的氧化层厚度T与对应的氧化时间t是否满足相同的线形关系；若所测量的多个氧化层厚度T与其对应的氧化时间t不满足相同的线形关系，对氧化层的生长进行调整，并重复上述步骤，直至氧化层厚度T与其各自对应的氧化时间t满足相同的线形关系。本发明相对于常规的光学检测方法，能够有效地对原位水汽生成工艺是否稳定进行判断和监控，不仅实施简便，而且结果更加稳定和精确，尤其对多层膜结构更为有效。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 水汽 生成 工艺 实时 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种原位水汽生成工艺实时检测方法，其特征在于，包括：采用Quantox测量机台对多层膜结构中总的氧化层厚度进行多次测量，并分别记录所述氧化层厚度及其对应的氧化时间；根据所述氧化层厚度T与所述氧化时间t的关系满足：T＝k*t+m，判断在随后的生产中所测量的氧化层厚度T与对应的氧化时间t是否满足相同的线形关系；若所测量的多个氧化层厚度T与其对应的氧化时间t不满足相同的线形关系，对氧化层的生长进行调整，并重复上述步骤，直至氧化层厚度T与其各自对应的氧化时间t满足相同的线形关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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