[发明专利]金属互连结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110342198.8 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103094199A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;周俊卿;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属互连结构的制造方法，通过在半导体衬底上形成多孔的低K介质层；在所述多孔的低K介质层上形成有机聚合物层；加热所述有机聚合物层，使得有机聚合物渗透至所述多孔的低K介质层，填充其中的多孔，使得所述多孔的低K介质层结构坚固，从而在刻蚀所述多孔的低K介质层以形成配线槽及通孔时，能够保证所述配线槽及通孔的质量，即避免所述配线槽及通孔的缺陷产生，从而提高了后续形成的金属互连结构的质量及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多孔的低K介质层；在所述多孔的低K介质层上形成有机聚合物层；加热所述有机聚合物层，使得有机聚合物渗透至所述多孔的低K介质层，填充其中的多孔；刻蚀所述多孔的低K介质层，形成配线槽及通孔；在所述配线槽及通孔中填充金属，形成金属互连结构；对所述多孔的低K介质层进行热固化工艺，去除多孔中的有机聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
