[发明专利]薄膜硅太阳能电池的背散射表面及其制备方法

摘要

本发明涉及薄膜太阳能电池的背散射表面及其制备方法，作为背散射表面的薄膜为复合膜，由与衬底直接接触的较低温度下易改变形貌的金属与Ag膜复合而成，金属膜的厚度范围是250nm~600nm，Ag膜的厚度范围是20nm~50nm，且复合膜的表面呈现亚微米尺度的粗糙结构形貌。制备采用物理气相沉积方法，在高真空环境中：在对衬底加热的条件下，在衬底上先沉积金属膜，再沉积Ag膜，构成复合膜；或者，在室温条件下，在衬底上先沉积金属膜，再沉积Ag膜，构成复合膜，然后对沉积的复合膜进行真空热处理，温度均为150～250℃。形成的复合膜表面具有大的漫射特性，且金属膜改变形貌的温度比较低，降低表面粗糙化所需要的热处理温度，同时减少了贵金属Ag的消耗，降低制作成本。

主权项

一种薄膜硅太阳能电池的背散射表面，该背散射表面为沉积在衬底表面的薄膜，其特征在于：所述作为背散射表面的薄膜为复合膜，由与衬底直接接触的在较低温度下沉积易改变形貌的金属或在较低温度下热处理后易改变形貌的金属形成的金属膜和Ag膜复合而成，且复合膜的表面呈现亚微米尺度的粗糙结构形貌。