[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110342604.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102487080A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 今西健治;吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 章侃铱;张浴月 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种化合物半导体器件，其中设置有：第一AlGaN层，形成在衬底的上方；第二AlGaN层，形成在第一AlGaN层的上方；电子渡越层，形成在第二AlGaN层的上方；以及电子供应层，形成在电子渡越层的上方。当第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1-x1N表示，第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1-x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立。存在于AlGaN层的上表面的负电荷多于存在于AlGaN层的下表面的正电荷。根据本发明的化合物半导体器件，在电子渡越层的下方设置有其中电荷被适当分布的第二AlGaN层，因此可以容易地进行常关操作。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；第一AlGaN层，形成在所述衬底的上方；第二AlGaN层，形成在所述第一AlGaN层的上方；电子渡越层，形成在所述第二AlGaN层的上方；以及电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方，其中，当所述第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1‑x1N表示，所述第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1‑x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立，并且存在于所述第二AlGaN层的上表面处的负电荷多于存在于所述第二AlGaN层的下表面处的正电荷。
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