[发明专利]双极结型晶体管有效
申请号: | 201110342757.5 | 申请日: | 2011-11-03 |
公开(公告)号: | CN102842605A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 范盛宏;胡楚威;林建志;邱志钟;曾峥;曹卫立 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/73 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 于淼;张一军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种双极结型晶体管,其包括射极区、基极区、位于所述射极区与所述基极区之间的第一隔离区、位于所述第一隔离区上且与所述射极区至少部分的外围重叠的栅极、集极区、以及位于所述基极区与所述集极区之间的第二隔离区。本发明所公开的双极结型晶体管,通过在第一隔离区上设置栅极,对射极区而言,可减轻金属硅化物侵蚀主动区域边缘的现象。 | ||
搜索关键词: | 双极结型 晶体管 | ||
【主权项】:
一种双极结型晶体管,包含有:射极区;基极区;第一隔离区,位于所述射极区与所述基极区之间;栅极,位于所述第一隔离区上,并且与所述射极区至少部分的外围重叠;集极区;以及第二隔离区,位于所述基极区与所述集极区之间。
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