[发明专利]晶体硅太阳能电池的扩散工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，为了缩短单管的工艺时间，并且有效提高扩散的均匀性和重复性，本发明的扩散工艺在原来的工艺基础上，在通源时将小氮流量和干氧流量按一定比例增加，并同时缩短扩散时间。该工艺能显著增强扩散的均匀性，对PN结的深度和表面浓度有很好的控制，提高了晶体硅太阳能电池片的光电转换效率。本发明的扩散工艺编辑简单，只在原来的工艺参数上修改一下即可，便于操作，适用产业化生产，可提高生产进度，可以在大规模的太阳能生产线中应用。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括扩散通源步骤，其特征是，在通源时小氮流量为2400～2600ml/m，通干氧量为3000～3250ml/m，并同时缩短预扩散时间和扩散时间；扩散炉炉口和炉中的温度升高10℃～12℃，炉尾的温度升高6℃～8℃。