[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管及其制作方法。本发明设计了双层透明导电层结构，第一层透明扩展层形成于p型半导体层上，P电极设置在外延结构层的中心区域，在p电极的四周设计了孔洞结构，孔洞结构里形成第二透明扩展层，并与n电极连接，形成一个等势面。电流从p电极注入后，通过第一透明扩展层向整个发光面扩散并由p型半导体层流向n型层，由于第二透明扩展层与n电极处于同一电势，电流向第二透明扩展层扩散，最后到达n电极。本发明保证了电流从p电极流向n电极的过程中都是均匀分布在外延发光层的，且P层的电流经过路径更短，同时改变了部分出光面的结构，从而有效地提高了发光效率。

主权项

氮化镓基发光二极管，其包括：一衬底，一半导体外延层沉积在衬底上，其至下而上包括n型半导体层，有源层，p型半导体层；一第一透明电流扩展层形成于p型半导体层上；一第一电极，形成于第一透明电流扩展层上，并位于外延层的中心区域；一孔洞系列分布在第一电极的四周，其贯穿p型半导体层、有源层，底部位于n型半导体层；一第一绝缘层，形成于第一透明电流扩展层上，并向孔洞系列的侧壁延伸，覆盖第一透明电流扩展层及孔洞系列的侧壁，露出第一电极及孔洞系列的底部的n型半导体层；一第二透明电流扩展层形成于前述第一绝缘层上，并覆盖孔洞系列的底部；所述第二秀明电流扩展层与第一电极隔离；一第二电极形成于n型半导体层上。