[发明专利]一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构

摘要

本发明涉及一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，器包括半导体基板；所述半导体基板上设置有源区，所述有源区内设置对称分布的场氧区，所述场氧区通过对应的有源区隔离；所述有源区内设有栅极端，场氧区对称分布于栅极端两侧；所述栅极端包括中间部及对称分布于所述中间部上的大头端部，所述大头端部的宽度大于中间部的端部；有源区上对应于中间部的两侧设置源端及漏端。本发明在总剂量条件下，对能有效抑制边缘寄生管导通；不但可以节省面积，同时不受NMOS管宽长比的影响，易于实现宽长较小的NMOS管，同时在版图设计和布局布线上具有更大的灵活性；结构紧凑，节省面积，适用性广，提高抗总剂量辐射效应的效果。

主权项

一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，包括半导体基板，所述半导体基板上设置有源区（2）；其特征是：所述有源区（2）内设置对称分布的场氧区（17），所述场氧区（17）通过对应的有源区（2）隔离；所述有源区（2）内设有栅极端（1），场氧区（17）对称分布于栅极端（1）两侧；所述栅极端（1）包括中间部（19）及对称分布于所述中间部（19）上的大头端部（15），所述大头端部（15）的宽度大于中间部（19）的端部；有源区（2）上对应于中间部（19）的两侧设置源端（3）及漏端（4）。