[发明专利]SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构

摘要

本发明涉及一种SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构，其包括SOI基板，所述SOI基板包括硅膜；所述硅膜上设置有源区，所述有源区的外圈设有隔离区；所述有源区包括第一导电类型扩散区，所述第一导电类型扩散区的外圈设有第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底的外圈设有第二导电类型扩散区；所述第一导电类型衬底的上方设有栅氧化层，所述栅氧化层上设有多晶硅栅，所述多晶硅栅呈环形。本发明结构简单、工艺步骤与传统SOI工艺兼容，容易实现，使用了经过工艺和版图优化的N-型栅控二极管结构，可以提高SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD耐受水平。

主权项

一种SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构，包括SOI基板，所述SOI基板包括硅膜；所述硅膜上设置有源区，所述有源区的外圈设有隔离区（4）；其特征是：所述有源区包括第一导电类型扩散区（2），所述第一导电类型扩散区（2）的外圈设有第一导电类型衬底（10），所述第一导电类型衬底（10）的外圈设有第二导电类型扩散区（3）；所述第一导电类型衬底（10）的上方设有栅氧化层，所述栅氧化层上设有多晶硅栅（1），所述多晶硅栅（1）呈环形。