[发明专利]功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法无效
| 申请号： | 201110343752.4 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN103095225A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨洪文;阎跃鹏;刘宇辙;张韧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于功率放大器技术领域，具体公开了一种功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法，其中功率放大晶体管电路包括一个功率放大晶体管(T1)和一个连接于功率放大晶体管基极的稳定电路(5)，稳定电路(5)由一射频输入通路和一直流输入通路并联而成，射频输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的电学稳定性，直流输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的热稳定性。本发明解决了同时优化满足功率放大晶体管的热稳定性和电学稳定性的技术问题，能实现良好的功率放大晶体管设计。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 放大 晶体管 电路 提高 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种功率放大晶体管电路，包括一个功率放大晶体管(T1)和一个稳定电路(5)，该稳定电路(5)连接于功率放大晶体管(T1)的基极，其特征在于：该稳定电路(5)由一射频输入通路和一直流输入通路并联而成；该射频输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的电学稳定性，该直流输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的热稳定性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110343752.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
