[发明专利]超高压LDMOS的工艺制作方法有效
| 申请号： | 201110344330.9 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102412126A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高压LDMOS的工艺制作方法，包括：对LDMOS中，场氧边缘到沟道的区域进行选择性离子注入，掺杂与沟道同型的杂质，杂质浓度低于漂移区杂质浓度。本发明能保证漏端电压在加到超高压的过程中，场氧边缘区域始终达不到临界电场强度，而且不会在该区域发生雪崩击穿，实现器件的超高压击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 ldmos 工艺 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超高压LDMOS的工艺制作方法，其特征在于，包括：对LDMOS中，场氧边缘到沟道的区域进行选择性离子注入，掺杂与沟道同型的杂质，杂质浓度低于漂移区杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
