[发明专利]晶片清洗方法无效
| 申请号： | 201110344684.3 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN103084349A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威;简志宏;张蔚 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种晶片清洗方法，该方法包括：提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质；将所述晶片置于旋转的转盘上；采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。采用本发明所提供的晶片清洗方法，可解决现有技术中对晶片清洗后易于在晶片中心位置处的金属层间介质上产生缺陷的问题，从而可减小器件的失效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片清洗方法，其特征在于，包括：提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质；将所述晶片置于旋转的转盘上；采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。
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