[发明专利]一种表面等离子共振传感器无效
申请号: | 201110345251.X | 申请日: | 2011-11-04 |
公开(公告)号: | CN102393380A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 熊学辉;鲁平;刘德明 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 周发军 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于平面介质栅耦合的表面等离子共振传感器,包括平面介质栅,纳米厚度金属膜和玻璃基底,所述的平面介质栅的上表面与环境介质接触,环境中被探测物质的折射率改变导致入射波矢量的改变,导致平面正弦栅的衍射谱的改变;所述的平面介质栅的下表面与纳米厚度金属膜相连,平面介质栅引入的额外波矢量,能在界面处激发表面等离子共振效应。平面介质栅由光折变材料组成,其介电常数在空间上正弦分布;所述平面介质栅光栅矢量K可以倾斜。此传感器具有制备简单,由于每层都是平面结构易于光学集成,可以向低成本,集成化,阵列化发展,且工作稳定和灵敏度高的优点,在矿井安全,空气污染等领域提供了有效的研究手段。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 等离子 共振 传感器 | ||
【主权项】:
一种表面等离子共振传感器,包括纳米厚度金属膜和玻璃基底,其特征在于,还包括平面介质栅,所述的平面介质栅的上表面与环境介质接触,下表面与所述纳米厚度金属膜相连;所述平面介质栅的厚度为60nm‑200nm,可调度为0.05‑0.15,所述纳米厚度金属膜的厚度为50nm‑200nm。
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