[发明专利]一种大功率晶闸管有效
| 申请号： | 201110345537.8 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN103094333A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王勇;张海鹏 | 申请（专利权）人： | 杭州汉安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率晶闸管，该大功率晶闸管包括硅片，所述硅片上设有单元胞门极，所述单元胞门极包括中心门极和放大门极，所述中心门极位于放大门极正中心位置，所述硅片上至少设有七个单元胞门极，任意三个相邻的单元胞门极都呈正三角形分布在硅片上。在大功率晶闸管的硅片上设置多个小尺寸的单元胞门极，使得该大功率的硅片表面形成多单元胞结构门极，通过在硅片表面建立多个寄生电阻、电容小的工作区域，实现大尺寸晶闸管保持与小尺寸晶闸管同样的工作性能，达到开启速度快、电流密度分布均匀，通态平均电流密度高、通态压降低、通态功耗小的优点。因此，利用该技术可以在尺寸更大的大功率晶闸管上实现性能优良的开关作业操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种大功率晶闸管，该大功率晶闸管包括硅片，所述硅片上设有单元胞门极，所述单元胞门极包括中心门极(1)和放大门极(2)，所述中心门极(1)位于放大门极(2)正中心位置，其特征在于：所述硅片上至少设有七个单元胞门极，任意三个相邻的单元胞门极都呈正三角形分布在硅片上。
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