[发明专利]一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法无效
| 申请号： | 201110346402.3 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102363897A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 金敏;徐家跃;房永征;何庆波;申慧 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200235 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法，属于单晶生长领域。其特点是所采用的热解氮化硼坩埚几何结构为等直径圆筒状，直径大小为50-150mm，高度为200-300mm。在垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法生长GaAs晶体的过程中，与PBN坩埚直径相同的GaAs籽晶安装于坩埚底部，熔体在籽晶的基础上不断析晶生长，省去了传统PBN坩埚生长GaAs晶体必需的放肩过程，因而在晶体生长过程中消除了由于放肩引起的热应力及GaAs小面的快速发育，大大降低了GaAs晶体中出现多晶或孪晶的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pbn 坩埚 利用 进行 砷化镓 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
一种PBN坩埚，其特征在于所述的PBN坩埚为等直径圆筒状，坩埚一端封口，另一端开口，封口的一端为籽晶槽所处位置。
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