[发明专利]双层多晶硅一次性可编程器件结构无效
| 申请号： | 201110346471.4 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103094323A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘梅;仲志华;胡晓明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/112 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双层多晶硅一次性可编程器件结构，包括P型硅片，P型硅片形成有N型阱；N型阱内并排形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区，第一P型重掺杂区与第二P型重掺杂区之间的N型阱上并排形成有存贮管栅氧、选通管栅氧，存贮管栅氧与选通管栅氧之间通过栅间介质层隔离；存贮管栅氧之上形成有存储管栅极多晶硅，选通管栅氧之上形成有选通管栅极多晶硅；部分存储管栅极多晶硅的上方覆盖有选通管栅极多晶硅；选通管栅极多晶硅与存储管栅极多晶硅之间通过栅间介质层隔离。本发明具有较小的元胞尺寸，且在使用过程中只需提供一个精确电压，从而能够大大减小整个芯片的面积，使得这类OTP器件的应用范围拓展到低密度容量的应用场合下。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 多晶 一次性 可编程 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种双层多晶硅一次性可编程器件结构，其特征在于：包括P型硅片(10)，P型硅片(10)形成有N型阱(11)；N型阱(11)内并排形成有第一P型重掺杂区(192)、第二P型重掺杂区(193)，第一P型重掺杂区(192)与第二P型重掺杂区(193)之间的N型阱(11)上并排形成有存贮管栅氧(13)、选通管栅氧(16)，存贮管栅氧(13)与选通管栅氧(16)之间通过栅间介质层(15)隔离；所述存贮管栅氧(13)之上形成有存储管栅极多晶硅(14)，选通管栅氧(16)之上形成有选通管栅极多晶硅(17)；部分存储管栅极多晶硅(14)的上方覆盖有选通管栅极多晶硅(17)；选通管栅极多晶硅(17)与存储管栅极多晶硅(14)之间通过栅间介质层(15)隔离。
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