[发明专利]一种含In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷及其制备技术无效
| 申请号： | 201110347842.0 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102503148A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 杨安平;陈大钦;余运龙;林航;王元生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C03C10/16 | 分类号： | C03C10/16;C03B32/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种含In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷及其制备技术。该玻璃陶瓷的组分为GeS2：40-70mol%；In2S3：15-25mol%;CsI：5-35mol%，其中，In2S3与CsI的摩尔比大于1。该玻璃陶瓷的制备过程包括前驱玻璃的熔体急冷法制备和前驱玻璃的后续晶化处理两个步骤。本发明通过改变In2S3与CsI组分的摩尔比，可以制备出一系列含有单一In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷。该类纳米复合材料具有高的红外透过率和良好的热学与机械性能，可望开发为红外窗口材料和发光介质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 in sub 纳米 玻璃 陶瓷 及其 制备 技术 | ||
【主权项】：
一种含In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷，其化学组分为GeS2：40‑70 mol%；In2S3：15‑25 mol%；CsI：5‑35 mol%；其中，In2S3与CsI的摩尔比大于1；该玻璃陶瓷具有如下显微结构特征：立方结构的In2S3纳米晶均匀分布在玻璃基体中，In2S3晶粒的平均尺度为20纳米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110347842.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：并行多绕组电机
- 下一篇：一种面向超声波信号的小波去噪方法及系统
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
