[发明专利]含有斜线型萘二酰亚胺单元的n-型有机半导体材料有效

专利信息
申请号: 201110348462.9 申请日: 2011-11-07
公开(公告)号: CN102516248A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 郑庆东;陈善慈 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C07D487/04 分类号: C07D487/04;H01L51/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了含斜线型芳香萘二酰亚胺单元的N-型有机半导体材料,该材料可以用于有机薄膜场效应晶体管。该材料通过改变以往直线型萘二亚胺分子的将羧酸亚胺六元环接在萘环的1,8位和4,5的特点,改为接在萘环上的1,2位和5,6位,形成五元环和斜线型,可改变材料分子的电荷分布和电子能级。该结构有利于在萘环的3,7位引入可聚合基团从而合成含斜线型芳香萘二酰亚胺单元的聚合物。
搜索关键词: 含有 斜线 型萘二酰 亚胺 单元 有机 半导体材料
【主权项】:
1.一种含斜线型芳香萘环的二酰亚胺单元的N-型有机半导体材料,其特征在于:该材料具有以下结构通式,其中R1选自H、F、Br、I、CN或CF3,R2选自C1-C28烷基、C1-C28氟化烷基、C1-C28部分氟化烷基、C1-C28环烷基、C1-C28氟化环烷基、C1-C20芳香基、含有20个碳以下烷基取代的芳香基、含有20个碳以下氟化烷基取代的芳香基或含C1-C20氟化芳香基。
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