[发明专利]低居里点的高介电电场双向可调的PZT基反铁电陶瓷材料及其制备有效
| 申请号： | 201110348574.4 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102643090A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 杨同青;王瑾菲;郑琼娜;姚熹 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C04B35/493 | 分类号： | C04B35/493;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低居里点TC的高介电电场双向可调PZT基反铁电陶瓷材料及其制备，属于电子材料与器件技术领域。本发明的具有介电电场双向可调性的PZT基反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb0.99-x-yBaxLay)(Zr0.51Sn0.39Ti0.10)O3，其中，0＜x≤0.20，0＜y≤0.06。本发明的介电双向可调的PZT基反铁电陶瓷材料在较低居里点TC附近，在一定的偏压下，具有高的介电常数，低的介电损耗，并且随偏压的增大先增大后减小，具有双向介电可调特性，同时呈现很高的热释电系数及热释电电流，可广泛用于微电子、计算机、电容器、传感器和航空航天技术等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 居里 高介电 电场 双向 可调 pzt 基反铁电 陶瓷材料 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种具有介电电场双向可调性的PZT基反铁电陶瓷材料，其化学成分符合化学通式(Pb0.99‑x‑yBaxLay)(Zr0.51Sn0.39Ti0.10)O3，其中，x的取值范围为0＜x≤0.20；y的取值范围为0＜y≤0.06。
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