[发明专利]一种5V CMOS器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110348591.8 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094281A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;钱文生;胡君;段文婷;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/423;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种5V CMOS器件结构，包括：硅衬底上形成有P阱(N阱)和浅沟槽隔离，所述P阱(N阱)上形成有栅氧化层，所述栅氧化层上形成有栅多晶硅，隔离侧墙形成在栅氧化层和栅多晶硅两侧，所述栅多晶硅和P阱(N阱)由接触孔引出连接金属线；其中，所述栅氧化层厚度非均匀分布。本发明还公开了一种5V CMOS器件结构的制造方法。本发明的5V CMOS器件结构及其制造方法利用边缘位置厚度大于中间位置厚度，非均匀厚度的栅氧化层能提高电路的击穿电压，能增加电路的耐压稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种5V CMOS器件结构，包括：硅衬底上形成有P阱和浅沟槽隔离，所述P阱上形成有栅氧化层，所述栅氧化层上形成有栅多晶硅，隔离侧墙形成在栅氧化层和栅多晶硅两侧，所述栅多晶硅和P阱由接触孔引出连接金属线；其特征是：所述栅氧化层厚度非均匀分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
