[发明专利]光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法

摘要

本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。

主权项

一种光掩模坯料，包含透明衬底和设置在衬底上的包含过渡金属、硅、氧和氮的材料的过渡金属/硅基材料膜，其中所述过渡金属/硅基材料膜具有至少3原子％的氧含量，并且由如下构成：满足下式(1)的过渡金属/硅基材料层：4×CSi/100‑6×CM/100＞1    (1)其中CSi是以原子％计的硅含量，CM是以原子％计的过渡金属含量，具有至少两个叠置的这种层的多层结构，或者远离该衬底设置且厚度至多10nm的表面氧化的层与这种层或多层结构的组合。